IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW75N65ET7XKSA1
IKW75N65ET7XKSA1

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2

Lager:
2
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
720
Förväntad 2026-05-21
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
61,26 kr 61,26 kr
38,04 kr 380,40 kr
31,83 kr 3.183,00 kr
26,16 kr 12.556,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
80 A
333 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
Märke: Infineon Technologies
Gate-sändarens läckström: 100 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: IGBTs
Handelsnamn: TRENCHSTOP
Del # Alias: IKW75N65ET7 SP005348294
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.