IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW20N65ET7XKSA1
IKW20N65ET7XKSA1

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 166

Lager:
166 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
32,92 kr 32,92 kr
17,99 kr 179,90 kr
14,72 kr 1.472,00 kr
11,34 kr 5.443,20 kr
11,12 kr 13.344,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
40 A
136 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
Märke: Infineon Technologies
Gate-sändarens läckström: 100 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: IGBTs
Handelsnamn: TRENCHSTOP
Del # Alias: IKW20N65ET7 SP005348286
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.