Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

STGAP2SICS

Name: STMicroelectronics STGAP2SICS
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SICS
Price: 28.09 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STGAP2SICS

Tillverk: Nr.:

STGAP2SICS

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Komplettera din design

Datablad:

STGAP2SICS Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STGAP2SICS

På lager: 781

Lager:: 781 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 25 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	28,09 kr	28,09 kr
	21,09 kr	210,90 kr
	17,60 kr	440,00 kr
	16,85 kr	1.685,00 kr
	16,22 kr	4.055,00 kr
	15,79 kr	7.895,00 kr
	15,26 kr	12.208,00 kr
	14,84 kr	35.616,00 kr
	14,63 kr	81.928,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

STGAP2SICSTR

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

64,02 kr

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar
RoHS-direktivet:
Serie:	STGAP2SICS
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8W
Isoleringsspänning:	5 kV
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Utbredningsförsening - Max:	90 ns
Stigtid:	30 ns
Falltid:	30 ns
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Non-Inverting
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Fuktkänsliga:	Yes
Antal drivenheter:	1 Driver
Antal utgångar:	1 Output
Utgångsström:	4 A
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkttyp:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning:	5.5 V
Minimal matningsspänning:	3 V
Teknologi:	SiC
Typ:	Half-Bridge
Enhetens vikt:	150 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STGAP2SICS Datablad (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

STGAP2SICS Single Gate Drivers

STMicroelectronics STGAP2SICS Single Gate Drivers provide galvanic isolation between the gate driving channel, low voltage control, and interface circuitry. The gate drivers are characterized by 4A capability and rail-to-rail outputs, making the devices suitable for mid and high-power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications. The device is available in two different configurations. The configuration with separated output pins (STGAP2SICSTR) allows users to optimize turn-on and turn-off using dedicated gate resistors independently. The configuration featuring a single output pin and Miller CLAMP function (STGAP2SICSCTR) prevents gate spikes during fast commutations in half-bridge topologies. Both configurations provide high flexibility and a bill of material reduction for external components.