NVTFS4C13NETAG

Name: onsemi NVTFS4C13NETAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS4C13NETAG
Price: 8.48 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVTFS4C13NETAG

Tillverk: Nr.:

NVTFS4C13NETAG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVTFS4C13NETAG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVTFS4C13NETAG

På lager: 2 220

Lager:: 2 220 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	8,48 kr	8,48 kr
	5,29 kr	52,90 kr
	3,42 kr	342,00 kr
	3,20 kr	1 600,00 kr
	2,69 kr	2 690,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	2,41 kr	3 615,00 kr
	1,91 kr	5 730,00 kr
	1,76 kr	42 240,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	WDFN-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	14 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.1 V
Qg - Gate-laddning:	15.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	26 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	40 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	35 ns
Serie:	NVTFS4C13N
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	13 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVTFS4C13NETAG Datablad

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: USA

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.