Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

NTMFD5C650NLT1G

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTMFD5C650NLT1G

Tillverk: Nr.:

NTMFD5C650NLT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 60V LL S08FL DS

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

NTMFD5C650NLT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTMFD5C650NLT1G

Leveransavisering:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
Leveransrestriktioner:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SO-8FL-Dual-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	111 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	37 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	125 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Falltid:	13 ns
Transkonduktans framåt - Min:	120 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	24 ns
Serie:	NTMFD5C650NL
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	37 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13 ns
Enhetens vikt:	161,193 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTMFD5C650NLT1G Datablad

EOL

Product Discontinuance Notification 2025-01-08 (PDF)

PCN

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Dual N-Channel Power MOSFETs

onsemi Dual N-Channel Power MOSFETs are integrated Schottky and come in a DFN8 (SO8FL) package. These N-channel power MOSFETs feature co-packaged power stage solution to minimize board space, minimized parasitic inductances, and reduced power losses. The dual N-channel power MOSFETs are Pb-free, halogen-free/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include DC-DC converters, system voltage rails, and point-of-load.