Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FQPF5P20

Name: onsemi FQPF5P20
Brand: onsemi
SKU: 512-FQPF5P20
Price: 16.96 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FQPF5P20

Tillverk: Nr.:

FQPF5P20

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 200V P-Channel QFET

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

FQPF5P20 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 472

Lager:: 472 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 472 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	16,96 kr	16,96 kr
	10,71 kr	107,10 kr
	7,17 kr	717,00 kr
	5,87 kr	2 935,00 kr
	5,43 kr	10 860,00 kr
	5,36 kr	26 800,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	200 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3.4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.4 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	13 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	38 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	QFET
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.15 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	70 ns
Serie:	FQPF5P20
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	12 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Enhetens vikt:	2 g