TB6633AFNG,C8EL

Toshiba
757-B6633AFNGC8EL
TB6633AFNG,C8EL

Tillverk:

Beskrivning:
Kontrollenheter och drivare för motor/rörelse/tändning Brushless Motor Driver IC 25V 1A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 789

Lager:
1 789 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 1789 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
21,73 kr 21,73 kr
15,90 kr 159,00 kr
14,52 kr 363,00 kr
12,93 kr 1 293,00 kr
12,08 kr 3 020,00 kr
11,45 kr 5 725,00 kr
10,58 kr 10 580,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
10,03 kr 20 060,00 kr
9,85 kr 39 400,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Toshiba
Produktkategori: Kontrollenheter och drivare för motor/rörelse/tändning
RoHS-direktivet:  
Brushless DC Motor Controllers
3 Phase
600 mA
4 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Reel
Cut Tape
Märke: Toshiba
Produkttyp: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning: 22 V
Minimal matningsspänning: 4.5 V
Enhetens vikt: 136 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542391090
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Motor Control Applications

Toshiba Motor Control Applications are a portfolio of new-generation devices for motor applications. Included are high-performance MOSFETs for high efficiency in end products. These Toshiba MOSFETs are fabricated using the current Gen-8 trench MOS process, which helps improve the efficiency of power supplies. Features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness.