Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD86360Q5D

Name: Texas Instruments CSD86360Q5D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86360Q5D
Price: 20.03 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD86360Q5D

Tillverk: Nr.:

CSD86360Q5D

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er Synchrnus Buck NxFT Pwr Block

Datablad:

CSD86360Q5D Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD86360Q5D

På lager: 1 263

Lager:: 1 263 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	20,03 kr	20,03 kr
	13,57 kr	135,70 kr
	11,45 kr	1 145,00 kr
	11,02 kr	5 510,00 kr
	10,58 kr	10 580,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	10,58 kr	26 450,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	LSON-CLIP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	50 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V, 750 mV
Qg - Gate-laddning:	9.7 nC, 23 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	13 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Falltid:	4.3 ns, 6.6 ns
Transkonduktans framåt - Min:	113 S, 169 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20.4 ns, 14.8 ns
Serie:	CSD86360Q5D
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	14.5 ns, 29.3 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8.4 ns, 9.5 ns
Enhetens vikt:	170 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CSD86360Q5D Datablad

Images

Function Diagram

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

CSD86360Q5D PSpice Model (Rev. A)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Filippinerna
Monteringsland:: Filippinerna
Distributionsland:: Kina

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.