TSM090N03CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM090N03CPROG
Price: 10.3 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM090N03CPROG

Tillverk: Nr.:

TSM090N03CP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 30V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM090N03CP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 5 413

Lager:: 5 413 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	10,30 kr	10,30 kr
	6,44 kr	64,40 kr
	4,23 kr	423,00 kr
	3,29 kr	1 645,00 kr
	2,97 kr	2 970,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	2,64 kr	6 600,00 kr
	2,48 kr	12 400,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	7.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	8.2 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	12.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	27.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.8 ns
Del # Alias:	TSM090N03CP
Enhetens vikt:	330 mg