MASTERGAN5

STMicroelectronics
511-MASTERGAN5
MASTERGAN5

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 62

Lager:
62 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 62 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
67,84 kr 67,84 kr
52,47 kr 524,70 kr
48,55 kr 1 213,75 kr
42,19 kr 4 219,00 kr
40,92 kr 20 460,00 kr
39,96 kr 39 960,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Thailand
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.