MB85RS128TYPNF-G-BCERE1

RAMXEED
249-85S128TYPNFGBCR1
MB85RS128TYPNF-G-BCERE1

Tillverk:

Beskrivning:
F-RAM 128kbit FeRAM with SPI, 1.8-3.6V, 125C - SOP8 T&R

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
4 268
Förväntad 2026-07-20
Fabrikens ledtid:
17
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
55,86 kr 55,86 kr
52,05 kr 520,50 kr
50,46 kr 1 261,50 kr
49,29 kr 2 464,50 kr
48,12 kr 4 812,00 kr
46,53 kr 11 632,50 kr
45,47 kr 22 735,00 kr
43,67 kr 43 670,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
43,57 kr 65 355,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
RAMXEED
Produktkategori: F-RAM
RoHS-direktivet:  
128 kbit
SPI
33 MHz
16 k x 8
SOP-8
1.8 V
3.6 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: RAMXEED
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Driftspänning: 3.3 V
Produkttyp: FRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 1500
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Japan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.