IXFX38N80Q2

IXYS
747-IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 38 Amps 800V 0.22 Rds

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 30   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
252,81 kr 7 584,30 kr
193,24 kr 23 188,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
38 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
5.5 V
190 nC
- 55 C
+ 150 C
735 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 12 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 16 ns
Serie: IXFX38N80
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.