CMX90A705A6-R701

CML Micro
226-CMX90A705A6-R701
CMX90A705A6-R701

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 74

Lager:
74 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
657,20 kr 657,20 kr
589,25 kr 14 731,25 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
540,60 kr 54 060,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
CML Micro
Produktkategori: RF-förstärkare
RoHS-direktivet:  
27.5 GHz to 31 GHz
27.5 V
17 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
AQFN-12
GaN
42 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Märke: CML Micro
Ingångsreturförlust: - 10 dB
Isolering dB: - 43 dB
Fuktkänsliga: Yes
Pd - Effektavledning: 18.8 W
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 100
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Handelsnamn: SuRF
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Storbritannien
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers

CML Micro CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers are compact two-stage amplifiers that deliver 37.4dBm (5.5W) of power with 16.5dB of gain. The CML Micro CMX90A705 amplifiers are suitable for driving and final stages in satellite communication terminals. The RF ports are matched to 50Ω, with integrated DC blocking capacitors at the input and output. The PCB includes decoupling capacitors for modulated signals like QPSK. The amplifier uses a 0.15µm gate length GaN-on-SiC process and is packaged in a small 4mm x 4mm air-cavity QFN for efficient thermal management.